▲聯電推出新28奈米平台（示意圖／記者廖婕妤攝）
記者高兆麟／綜合報導
晶圓代工大廠聯電（2303）今日發佈領先業界的28奈米嵌入式高壓 (eHV) 製程之最新加強版28eHV+平台28eHV+平台可提供更高功效及更高品質的視覺效果是下一代智慧手機、VR/AR設備及物聯網使用的最佳顯示器驅動IC解決方案 映相掏空案 。
相較於聯電現有的28奈米eHV製程新的28eHV+解決方案可在不影響圖像畫質或資料速率的前提下降低耗能達15%除了滿足節省電池用電的需求外28eHV+還更精確的電壓控制優化功能提供設計工程師設計時更大的靈活性 前董座曾冠智20萬交保 映相科技 董事長曾冠智 映相科技驚爆遭掏空2億 檢調搜索約談 映相掏空案 。
就eHV技術而言 前董座曾冠智20萬交保 ，28奈米是目前晶圓廠最先進的製程 映相科技 前董座曾冠智20萬交保 前董座曾冠智20萬交保 ，適用於小面板顯示器驅動IC (SDDI)並廣泛用於高階智慧手機和VR/AR設備上越來越普及的AMOLED面板聯電是28奈米SDDI代工龍頭市場佔有率超過85% 前董座曾冠智20萬交保 ，自2020年量產以來已出貨超過4億顆IC
聯電技術研發副總經理徐世杰表示：「我們很高興推出嶄新的28eHV+平台目前已有幾家客戶在洽談中並計畫於2023年上半年投入量產身為晶圓特殊製程的領導者聯電提供差異化的解決方案配合客戶的產品藍圖與客戶一起掌握市場快速成長的機會 映相掏空案 。繼發佈28eHV+平台後 前董座曾冠智20萬交保 ，我們的研發團隊將致力於將顯示器驅動IC解決方案擴展到22奈米及以下製程」
聯電的28eHV+技術採用了業界最小的SRAM單元進而縮減了晶片面積此平台奠基於聯電領先的28奈米後閘極高介電係數金屬閘極 (28nm Gate-last High-K/Metal Gate) 技術具有卓越的低漏電和動態功率性能
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